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电子负载 Rev.3 开发笔记
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原文中文，约4600字，阅读约需11分钟。
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内容提要
本文讨论了电子负载Rev.3的开发过程，重点在电压和电流检测的改进。通过使用MCU片上运放和ADC优化电路设计，电压检测结果需校准。电流检测采用独立模式以提高CMRR，并提到信号保护和静电防护措施，选择CH412K保护器件。整体上，Rev.3在硬件和软件上都有所改进。
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关键要点
- Rev.3的电压和电流检测方案经过重新设计，采用MCU片上运放和ADC进行处理。
- 电压检测结果需要校准，且在未校准情况下误差较大，怀疑是MCU片上OpAmp性能不足。
- 电流检测采用独立模式以提高共模抑制比（CMRR），并支持PGA模式。
- 选择CH412K作为信号保护器件，以防止信号电压超过VDDA和静电浪涌。
- 硬件恒流部分未使用片上OpAmp，而是采用外置运放以满足MOSFET的驱动需求。
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延伸问答
Rev.3电子负载的电压检测方案有什么改进？
Rev.3采用了MCU片上运放和ADC进行电压检测，并增加了滤波和保护电路，但电压检测结果仍需校准。
电流检测在Rev.3中是如何设计的？
电流检测采用独立模式以提高共模抑制比（CMRR），并支持PGA模式，增益可通过外置电阻配置。
为什么Rev.3的电压检测结果需要校准？
因为在未校准情况下，电压检测结果的误差较大，怀疑是MCU片上OpAmp性能不足所致。
CH412K保护器件的作用是什么？
CH412K用于信号保护，防止信号电压超过VDDA和静电浪涌，确保电压检测的安全性。
Rev.3在硬件和软件上有哪些改进？
Rev.3在硬件上改进了电压和电流检测方案，软件上实现了Web USB功能，整体性能有所提升。
为什么在硬件恒流部分没有使用片上OpAmp？
因为MOSFET的驱动需求需要5V电压输出，片上OpAmp无法满足这一要求，因此采用了外置运放。
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