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长江存储在美国法院起诉美光侵犯多项专利 要求美光停止销售内存并支付专利费
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原文中文，约1200字，阅读约需3分钟。
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内容提要
中国半导体制造商长江存储起诉美光科技侵犯11项专利，要求停止销售内存产品并支付专利许可费用。长江存储成功研发高阶3D NAND芯片，提高了3D QLC NAND芯片的耐用性。
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关键要点
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长江存储起诉美光科技侵犯11项专利，要求停止销售内存产品并支付专利许可费用。
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长江存储的专利涉及3D NAND芯片的多个方面，其中部分专利已申请但未获批。
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长江存储指控美光科技的多款3D NAND闪存芯片和部分DDR5 SDRAM内存侵犯其专利。
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长江存储引用的8项专利包括3D NAND存储器装置及其形成方法等。
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美国商务部已将长江存储列入出口管制名单，限制其获取美国技术。
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尽管受到限制，长江存储成功研发高阶3D NAND芯片，包括晶栈3.0和正在开发的晶栈4.0。
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长江存储提高了3D QLC NAND芯片的耐用性，达到4000次编程/擦除周期，改善了使用寿命。
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延伸问答
长江存储起诉美光的原因是什么？
长江存储起诉美光科技侵犯11项专利，要求停止销售内存产品并支付专利许可费用。
长江存储的专利涉及哪些技术？
长江存储的专利涉及3D NAND芯片的多个方面，包括存储器装置及其形成方法等。
美光科技的哪些产品被指侵犯了长江存储的专利？
美光科技的96层、128层、176层和232层系列3D NAND闪存芯片，以及部分DDR5 SDRAM内存被指侵犯专利。
长江存储在研发方面取得了哪些进展？
长江存储成功研发了高阶3D NAND芯片，包括晶栈3.0和正在开发的晶栈4.0。
美国商务部对长江存储采取了什么措施？
美国商务部将长江存储列入出口管制名单，限制其获取美国技术。
长江存储如何提高了3D QLC NAND芯片的耐用性？
长江存储将3D QLC NAND芯片的耐用性提高到4000次编程/擦除周期，改善了使用寿命。
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