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SK keyfoundry第四代200V高压0.18微米BCD工艺目标年内量产
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原文中文，约500字，阅读约需1分钟。
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内容提要
韩国SK keyfoundry推出第四代200V高压0.18微米BCD工艺，提升功率效率与稳定性，满足汽车电子需求，预计年内量产。
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关键要点
- 韩国SK keyfoundry推出第四代200V高压0.18微米BCD工艺，目标年内实现量产。
- 市场对高压、高效功率半导体需求快速增长，尤其是在汽车电气化和AI数据中心扩张背景下。
- 新工艺相比上一代，Rsp和BVDSS均提升20%以上，具备更高的功率效率和高温稳定性。
- 该工艺优化了低导通电阻器件，提供多层厚金属间电介质选项，支持多种嵌入式存储选项及霍尔传感器。
- 可应用于高压电源管理和转换IC、电机驱动器、LED驱动器和电源栅极驱动器，符合汽车可靠性标准AEC-Q100 Grade 0。
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