基本元器件 - 场效应管

场效应管是一种电压控电流的器件，常用的MOS管由金属、氧化物、半导体组成。MOS管有三个引脚，分别是栅极、源极和漏极。MOSFET有几个工作区，包括截止区、可变电阻区、恒流区、击穿区和过损耗区。N-MOS和P-MOS的区别在于门极驱动电压。三极管和场效应管的对比在于特性、输入阻抗、噪声和反应速度。MOS管常见的封装有SOT、TO和SOP。