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基本元器件 - 场效应管
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原文中文，约3200字，阅读约需8分钟。
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内容提要
本文介绍了场效应管的基本概念和特性，重点介绍了增强型 MOS 管的结构和特性，以及其伏安特性曲线和工作状态。同时还介绍了 MOS 管的常见封装类型和反馈的概念。
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关键要点
- 场效应管是一种电压控电流的器件，常用的MOS管由金属、氧化物和半导体组成。
- MOS管的引脚定义为：G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。
- MOS管的导通条件由G和S极之间的压差决定，N-MOS和P-MOS的导通条件不同。
- 增强型MOS管的结构是在P型硅衬底上制作两个N型沟槽，并覆盖一层SiO2绝缘层。
- 增强型MOSFET的伏安特性曲线包括开启电压、恒流区方程和可变电阻区与恒流区的分界线。
- MOSFET的工作状态包括截止区、可变电阻区、恒流区、击穿区和过损耗区。
- MOSFET的主要参数包括开启电压、夹断电压、直流输入电阻、击穿电压、导通电阻和最大结温。
- N-MOS和P-MOS的驱动电压要求不同，N-MOS需要更高的电压，P-MOS则需要更低的电压。
- 三极管与场效应管的对比显示出两者在特性、输入阻抗、噪声和反应速度上的差异。
- 反馈的定义是将放大电路输出信号部分或全部引回到输入端，分为负反馈和正反馈。
- MOS管的常见封装类型包括SOT、TO和SOP封装，适用于不同功率和应用场景。
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