基于忆阻器的神经网络芯片内学习:评估设备变化、导电误差和输入噪声下的准确性和效率
本研究提出了一个综合的深度神经网络设计框架,利用memristive和memcapacitive交叉阵列在低功耗机器学习加速器中应用。实验结果表明,使用memristive和memcapacitive交叉阵列的训练准确率分别达到90.02%和91.03%。研究还引入了一种新方法,使用运算跨导放大器和电容器模拟meminductor设备,实现了可调节的行为。该研究为高效和高性能的机器学习应用提供了先进的硬件解决方案。
原文中文,约500字,阅读约需2分钟。