麻省理工学院研究人员开发了一种AI模型，利用非侵入性中子散射技术，能够同时检测材料中的六种缺陷。该模型基于2000种半导体材料的数据，解决了传统方法在缺陷浓度测量上的不足，推动了半导体和电池材料的改进。