MOSFET和IGBT在电子电路设计中常用作控制开关。它们在性能特征上存在差异，MOSFET具有高输入阻抗、快速开关速度和电压控制电流特性，而IGBT具有低功耗、高耐压和大电流容量。MOSFET适用于放大器和电子开关，而IGBT适用于交流电机、逆变器和电源。