本研究通过生成模型解决了拓扑绝缘体和拓扑晶体绝缘体材料稀缺的问题，提出了强化微调方法，成功生成了新材料Ge$_2$Bi$_2$O$_6$，其全带隙为0.26 eV，展现出应用潜力。

Designing Topological Materials through Reinforced Fine-Tuning of Generative Models
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