马斯克计划建造全球最大建筑Terafab芯片工厂,面积是现有最大工厂的十倍,目标年产1太瓦算力芯片。然而,核心设备极紫外光刻机仅由荷兰ASML公司垄断,交付周期长且受政治限制,导致项目高度依赖外部供应链。尽管规模宏大,但技术瓶颈和分配问题使其前景存疑,可能沦为昂贵的摆设。
华为通过混合键合技术实现了7纳米芯片的堆叠,晶体管密度提升了53.5%。该方法避免了光刻机的限制,但面临技术难度和成本问题。尽管性能提升,专家认为这并不代表真正的技术领先,且美国若采用相同方法,可能会拉大差距。华为此举是因缺乏极紫外光刻机而采取的策略。
SK海力士在利川M16工厂引进首款量产型高数值孔径极紫外光刻机,旨在提升半导体产品性能与生产效率,增加晶体管密度,简化光刻工艺,加速下一代存储器开发,巩固市场地位。
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