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MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片

铭芯启睿发布首代1TnR高密度RRAM芯片“泰山一号”,采用28nm CMOS工艺和1T4R结构,单芯片容量1Gb,密度30Mb/mm²,延时小于20ns,已流片验证。该技术通过多单元共享晶体管提升密度,并创新电路设计解决漏电与读写可靠性问题,面向嵌入式存储、大容量存储及混合存算三大产品线。

MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片

量子位 量子位 · 2026-10-14T06:24:00Z
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