旭化成微电子1983年实现商业化的薄膜霍尔元件项目获IEEE里程碑认证。该技术采用薄膜InSb与铁氧体结合结构，兼具高灵敏度和量产能力，推动磁传感器在民用及工业领域普及，相关霍尔传感器累计出货超500亿颗，自商业化以来持续在宫崎县延冈市生产。