该研究提出了描述符来表征和识别可表达但紧凑的参数化电路，探讨了电路深度、量子位连接方式以及门的选择组合等因素。结果表明环形或全连接排列的二比特门的性能优于直线排列的二比特门，X - 旋转门的序列比 Z - 旋转门的序列的可表达性和纠缠能力得到了提高，同时发现了参数化量子电路模板的饱和现象。