使用PMOS做上管、NMOS做下管更方便。NMOS管的导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V;PMOS管的导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V。使用NMOS当下管只需将G极电压固定值6V即可导通,使用PMOS当上管只需G极电压比S极低6V即可导通。
本文介绍了使用两个PMOS的简单电路实现通断的原理,回顾了MOS开关管的基础知识,解释了MOS管的分类和符号,以及NMOS和PMOS的体二极管方向。最后,简要介绍了MOS管的通断特性。
本文介绍了一款可能设计于20世纪70年代的苏联CMOS芯片,通过逆向工程解析其电路。该芯片为4位计数器,包含300多个晶体管,采用金属栅极技术。文章详细讲解了NMOS和PMOS晶体管的结构及工作原理,并探讨了反相器、逻辑门和触发器等基本电路的实现。尽管芯片较简单,但其原理对现代CMOS电路仍具参考价值。
当左侧输入低电平时无输出,输入高电平时输出12V。右侧NMOS管和上方PMOS管的导通取决于输入电平和分压电路。
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