三星电子推出全球首款UFS 5.0存储芯片，顺序读取速度达到10,800MB/s，写入速度最高9,500MB/s，性能较UFS 4.1翻倍。该芯片优化了端侧AI应用，提升运行效率，功耗效率提高40%，预计2026年第四季度量产，满足旗舰智能手机和AI设备需求。