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三星即将推出下一代QLC NAND V9方案 每平方毫米容量达28.5Gb
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原文中文，约600字，阅读约需2分钟。
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内容提要
三星计划推出下一代QLC NAND V9解决方案，堆叠层数达到280层，容量密度为28.5Gb/mm²，速度为3.2Gbps。预计推出8TB QLC M.2固态硬盘。
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关键要点
- 三星计划推出下一代QLC NAND V9解决方案，堆叠层数达到280层。
- QLC NAND V9的容量密度为28.5Gb/mm²，超越竞争对手。
- 业界最高密度的闪存是长江存储的232层QLC闪存，容量为20.62Gb/mm²。
- QLC NAND V9的最大传输速度为3.2Gbps，比之前版本快。
- QLC SSD通常配备缓存，读写速度在缓存满后会显著下降。
- 三星可能推出消费级的8TB QLC M.2固态硬盘，价格相对便宜。
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