长江存储在美国法院起诉美光侵犯多项专利 要求美光停止销售内存并支付专利费
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内容提要
中国半导体制造商长江存储起诉美光科技侵犯11项专利,要求停止销售内存产品并支付专利许可费用。长江存储成功研发高阶3D NAND芯片,提高了3D QLC NAND芯片的耐用性。
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关键要点
- 长江存储起诉美光科技侵犯11项专利,要求停止销售内存产品并支付专利许可费用。
- 长江存储的专利涉及3D NAND芯片的多个方面,其中部分专利已申请但未获批。
- 长江存储指控美光科技的多款3D NAND闪存芯片和部分DDR5 SDRAM内存侵犯其专利。
- 长江存储引用的8项专利包括3D NAND存储器装置及其形成方法等。
- 美国商务部已将长江存储列入出口管制名单,限制其获取美国技术。
- 尽管受到限制,长江存储成功研发高阶3D NAND芯片,包括晶栈3.0和正在开发的晶栈4.0。
- 长江存储提高了3D QLC NAND芯片的耐用性,达到4000次编程/擦除周期,改善了使用寿命。
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