SK keyfoundry成功开发碳化硅平面MOSFET工艺平台
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内容提要
韩国SK keyfoundry已完成SiC平面MOSFET工艺平台开发，获得1200V SiC MOSFET订单，标志着其SiC半导体代工业务启动。新平台支持450V至2300V，良率超过90%，计划2027年上半年量产。
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