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SK keyfoundry成功开发碳化硅平面MOSFET工艺平台
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原文中文，约400字，阅读约需1分钟。
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内容提要
韩国SK keyfoundry已完成SiC平面MOSFET工艺平台开发，获得1200V SiC MOSFET订单，标志着其SiC半导体代工业务启动。新平台支持450V至2300V，良率超过90%，计划2027年上半年量产。
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关键要点
- 韩国SK keyfoundry完成SiC平面MOSFET工艺平台开发。
- 获得1200V SiC MOSFET订单，标志着SiC半导体代工业务启动。
- 新平台支持450V至2300V的宽电压范围。
- 产品良率超过90%，并提高了生产效率。
- 计划于2027年上半年启动全面量产。
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