新材料有望提升微电子的能效

麻省理工学院研究人员开发了一种新方法，通过在现有电路上堆叠多个功能组件，提高电子设备的能效。

新平台允许在半导体芯片上同时制造晶体管和存储器，减少能量浪费并提升计算速度。

新材料和精确制造工艺使得晶体管更小、更高效，适用于高能耗应用如人工智能。

传统电路中，逻辑设备和存储设备分开，导致数据传输浪费能量。

研究人员开发了一种集成技术，在芯片的后端堆叠活跃组件，减少数据传输距离，提高能效。

使用非晶态氧化铟作为后端晶体管的活跃通道层，能够在低温下生长，避免损坏前端设备。

优化制造过程，减少氧缺陷，使得晶体管快速、清洁地工作，降低能耗。

研究人员还制造了集成存储的后端晶体管，尺寸约为20纳米，切换速度为10纳秒，电压需求低。

通过研究铁电铪锆氧化物的物理特性，探索新应用的可能性。

未来计划将后端存储晶体管集成到单一电路中，并提升晶体管性能。