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MCU百万次读写闪存测试
原文中文，约3800字，阅读约需9分钟。
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内容提要
瑞萨RL78系列单片机支持百万次读写的数据闪存，省去外部存储器件，降低硬件成本。每个地址的读写次数可达到100万次，MCU内部RAM相关区域需要避开。
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关键要点
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瑞萨RL78系列单片机支持百万次读写的数据闪存，降低硬件成本。
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早期存储器只能进行一次写操作，后来的紫外线擦写存储器支持上千次读写。
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现代闪存的读写速度和次数不断提高，百万次读写操作已成为标准配置。
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MCU内部集成的存储器容量越来越大，性能越来越高，价格也变得亲民。
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数据闪存（Data Flash）用于存储产品标定参数和运行数据，省去外部存储器件。
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用户可以基于瑞萨官方提供的库操作MCU内部的数据闪存，支持按字节读写。
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RL78系列MCU的内部数据闪存大小一般在2K到8K字节之间，读写次数可达100万次。
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下载Data Flash应用库和API文档的链接提供给使用不同编译器的用户。
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需要避开MCU内部RAM相关区域，以避免编译错误，不同MCU的要求不同。
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测试代码在硬件板“YRPBRL78G13”上运行成功，验证了数据闪存的读写功能。
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延伸问答
瑞萨RL78系列单片机的数据闪存有什么特点？
瑞萨RL78系列单片机的数据闪存支持百万次读写，容量一般在2K到8K字节之间，用户可以按字节进行读写操作。
如何操作瑞萨RL78系列MCU的数据闪存？
用户可以基于瑞萨官方提供的库来操作MCU内部的数据闪存，下载相应的应用库和API文档后即可进行读写。
瑞萨RL78系列MCU的数据闪存可以用于哪些应用？
数据闪存可用于存储产品的标定参数和运行数据，省去外部存储器件，降低硬件成本。
瑞萨RL78系列MCU的读写次数是多少？
瑞萨RL78系列MCU的数据闪存每个地址的读写次数可达到100万次。
在使用瑞萨RL78系列MCU时需要注意什么？
需要避开MCU内部RAM相关区域，以避免编译错误，不同MCU的要求可能不同。
如何下载瑞萨RL78系列MCU的数据闪存应用库？
根据使用的编译器，访问瑞萨官网提供的链接下载相应的应用库和API文档。
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