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MCU百万次读写闪存测试
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原文中文，约3800字，阅读约需9分钟。
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内容提要
瑞萨RL78系列单片机支持百万次读写的数据闪存，省去外部存储器件，降低硬件成本。每个地址的读写次数可达到100万次，MCU内部RAM相关区域需要避开。
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关键要点
- 瑞萨RL78系列单片机支持百万次读写的数据闪存，降低硬件成本。
- 早期存储器只能进行一次写操作，后来的紫外线擦写存储器支持上千次读写。
- 现代闪存的读写速度和次数不断提高，百万次读写操作已成为标准配置。
- MCU内部集成的存储器容量越来越大，性能越来越高，价格也变得亲民。
- 数据闪存（Data Flash）用于存储产品标定参数和运行数据，省去外部存储器件。
- 用户可以基于瑞萨官方提供的库操作MCU内部的数据闪存，支持按字节读写。
- RL78系列MCU的内部数据闪存大小一般在2K到8K字节之间，读写次数可达100万次。
- 下载Data Flash应用库和API文档的链接提供给使用不同编译器的用户。
- 需要避开MCU内部RAM相关区域，以避免编译错误，不同MCU的要求不同。
- 测试代码在硬件板“YRPBRL78G13”上运行成功，验证了数据闪存的读写功能。
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