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内容提要
氧化镓（β-Ga2O3）是一种新型半导体材料，具有高电源效率，预计在2029年实现大规模生产。日本Novel Crystal公司计划于2026年开始寄送150毫米样品，采用滴灌生长法以降低成本。氧化镓的禁带宽度高于碳化硅和氮化镓，能显著减少能源损耗，适用于电动车和AI数据中心等高压、大功率场景。预计到2035年，氧化镓将在各类电源设备中得到广泛应用。
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关键要点
- 氧化镓（β-Ga2O3）是一种新型半导体材料，具有高电源效率，预计在2029年实现大规模生产。
- 日本Novel Crystal公司计划于2026年开始寄送150毫米氧化镓样品，采用滴灌生长法以降低成本。
- 氧化镓的禁带宽度高于碳化硅和氮化镓，能显著减少能源损耗，适用于电动车和AI数据中心等高压、大功率场景。
- 150毫米样品的出货意味着氧化镓的生产尺寸达标，能够直接与现有生产线对接，降低了制造成本。
- 滴灌生长法（DG法）将大幅降低氧化镓的生产成本，使其价格低于碳化硅，同时性能更优。
- 预计到2035年，氧化镓将在各类电源设备中得到广泛应用，特别是在工业电源、光伏逆变器和储能系统等领域。
- Novel Crystal Technology是全球氧化镓晶圆的领导者，拥有多项核心专利，技术得到日本政府的支持。
- A股市场中，天岳先进、三安光电、株洲科能等公司在氧化镓领域有布局，未来可能受益于市场的快速发展。
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延伸问答
氧化镓的主要优势是什么？
氧化镓具有高电源效率和更高的禁带宽度，能显著减少能源损耗，适用于高压、大功率场景。
Novel Crystal公司计划何时开始寄送氧化镓样品？
Novel Crystal公司计划于2026年开始寄送150毫米的氧化镓样品。
滴灌生长法（DG法）有什么优势？
滴灌生长法不需要使用昂贵的铱坩埚，能大幅降低氧化镓的生产成本。
氧化镓预计何时实现大规模生产？
氧化镓预计在2029年实现大规模生产。
氧化镓的禁带宽度与碳化硅和氮化镓相比如何？
氧化镓的禁带宽度为4.8到4.9电子伏特，高于碳化硅的3.2电子伏特和氮化镓的3.4电子伏特。
氧化镓在电动车中的应用前景如何？
氧化镓预计将在2028年底或2029年初开始在高端电动车的充电机和DC-DC转换器中应用。
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