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Rapidus在其代工厂实现2nm GAA晶体管原型设计的重要里程碑
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原文中文，约700字，阅读约需2分钟。
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内容提要
Rapidus公司宣布其2nm GAA晶体管原型设计已在IIM-1代工厂试制，并启动电性参数测试。该公司采用单晶圆处理和极紫外光刻技术，预计2026年发布工艺开发套件，2027年开始量产。
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关键要点
- Rapidus公司宣布其2nm GAA晶体管原型设计已在IIM-1代工厂试制。
- 原型晶圆已启动电性参数测试。
- IIM-1代工厂代表传统代工模式的重大进步。
- 采用完全单晶圆前端处理技术以提高产量和数据捕获。
- 极紫外光刻(EUV)技术是实现2nm半导体的关键技术。
- Rapidus是日本第一家安装先进EUV设备的公司。
- 在不到三年的时间里，Rapidus实现了IIM-1的多个目标里程碑。
- Rapidus将在2026年发布与IIM-1的2nm工艺兼容的工艺开发套件。
- 量产计划定于2027年开始。
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