慕尼黑工业大学教授开发节能AI芯片

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内容提要

德国慕尼黑工业大学教授开发了一款节能AI芯片,使用铁电场效应晶体管,可提供885 TOPS/W,晶体管尺寸仅为28纳米。该芯片可用于深度学习、生成人工智能或机器人等应用,由博世和弗劳恩霍夫IMPS合作开发,由GlobalFoundries生产。

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关键要点

  • 慕尼黑工业大学教授开发了一款节能AI芯片,使用铁电场效应晶体管(FeFET)。
  • 该芯片提供885 TOPS/W的性能,是同类人工智能芯片的两倍。
  • 晶体管尺寸为28纳米,每个芯片上有数百万个晶体管。
  • 新型芯片由博世和弗劳恩霍夫IMPS合作开发,GlobalFoundries负责生产。
  • CMOS芯片的工作效率在10-20 TOPS/W范围内。
  • 该芯片在深度学习、生成人工智能和机器人等应用中表现高效。
  • 芯片能够在数据存储位置进行计算,减少时滞。
  • 预计最快需要三到五年才能推出适合实际应用的内存芯片。
  • 行业安全要求使得技术应用于汽车行业前需满足具体标准。
  • 强调跨学科合作在技术开发中的重要性。
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