湖南三安成功实现低电阻碳化硅衬底技术重大突破

湖南三安成功实现低电阻碳化硅衬底技术重大突破

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内容提要

湖南三安成功突破低电阻碳化硅衬底技术,电阻率稳定在11mΩ·cm,较传统减半。该技术解决了低电阻与高品质的难题,已完成全流程验证,具备量产能力,客户可无缝升级,降低成本。

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