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基本元器件 - 场效应管
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原文中文，约3200字，阅读约需8分钟。
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内容提要
场效应管是一种电压控电流的器件，常用的MOS管由金属、氧化物、半导体组成。MOS管有三个引脚，分别是栅极、源极和漏极。MOSFET有几个工作区，包括截止区、可变电阻区、恒流区、击穿区和过损耗区。N-MOS和P-MOS的区别在于门极驱动电压。三极管和场效应管的对比在于特性、输入阻抗、噪声和反应速度。MOS管常见的封装有SOT、TO和SOP。
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关键要点
- 场效应管是一种电压控电流的器件，常用的MOS管由金属、氧化物、半导体组成。
- MOS管有三个引脚：栅极（G）、源极（S）、漏极（D）。
- MOSFET有几个工作区：截止区、可变电阻区、恒流区、击穿区和过损耗区。
- N-MOS和P-MOS的区别在于门极驱动电压。
- MOS管的导通条件由G和S极之间的压差决定。
- 增强型MOS管的结构是在P型硅衬底上制作两个N型沟槽。
- MOSFET的伏安特性曲线包括转移特性和输出特性。
- MOSFET的工作状态包括截止区、可变电阻区、恒流区、击穿区和过损耗区。
- MOSFET的主要参数包括开启电压、夹断电压和直流输入电阻。
- 三极管与场效应管的对比在于特性、输入阻抗、噪声和反应速度。
- MOS管常见的封装有SOT、TO和SOP。
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