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电子负载 Rev.3 开发笔记
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原文中文，约3400字，阅读约需8分钟。
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内容提要
本文讨论了电子负载Rev.3的开发过程，重点在电压和电流检测的改进。通过使用MCU片上运放和ADC优化电路设计，尽管电压检测结果仍需校准。电流检测采用独立模式以提高CMRR，并介绍了保护电路的设计以确保信号稳定性。最后提到EEPROM的使用计划。
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关键要点
- Rev.3电子负载的电压和电流检测方案经过重新设计，采用MCU片上运放和ADC进行处理。
- 电压检测结果仍需校准，误差较Rev.1大，可能是由于MCU片上OpAmp性能不足。
- 电流检测采用独立模式以提高共模抑制比（CMRR），并支持PGA模式。
- 保护电路设计用于确保信号稳定性，使用了CH412K作为ESD保护器件。
- 计划使用EEPROM M24C64-F存储数模、模数转换查找表和设置数据。
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延伸问答
Rev.3电子负载的电压检测方案有什么改进？
Rev.3电子负载的电压检测方案采用了MCU片上运放和ADC进行处理，增加了滤波和保护电路，但电压检测结果仍需校准。
电流检测部分的设计有什么不同？
电流检测采用了独立模式和PGA模式，独立模式使用外置电阻配置增益，而PGA模式使用内置电阻动态调节增益。
为什么Rev.3的电压检测结果误差较大？
电压检测结果误差较大可能是由于MCU片上OpAmp性能不足，且在未进行额外校准的情况下，误差比Rev.1大。
保护电路的设计使用了什么器件？
保护电路设计使用了CH412K作为ESD保护器件，以确保信号的稳定性。
EEPROM在Rev.3中有什么用途？
EEPROM M24C64-F计划用于存储数模、模数转换查找表和设置数据。
Rev.3电子负载的硬件部分是否存在问题？
目前Rev.3的硬件部分没有发现问题，主要内容在于软件实现。
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