本文讨论了电子负载Rev.3的开发过程,重点在电压和电流检测的改进。通过使用MCU片上运放和ADC优化电路设计,尽管电压检测结果仍需校准。电流检测采用独立模式以提高CMRR,并介绍了保护电路的设计以确保信号稳定性。最后提到EEPROM的使用计划。
正点原子 DL16 逻辑分析仪支持 EEPROM 的读写分析,并提供 macOS 版上位机,界面基于 QT 开发,兼容多平台。
介绍了使用CH32V003的代码存储区域来模拟EEPROM保存数据的方法,包括Flash的擦写时间和擦写寿命等特性。通过Flash模拟EEPROM的相关库方法,完成EEPROM的加载、读取和写入操作。设计外壳使DIY USB电流表更像一个正式产品。
EEPROM是一种电可擦可编程只读存储器,用于保存断电后的数据。Arduino控制器上的AVR芯片都带有EEPROM,也可以外接EEPROM芯片。可以使用EEPROM类库的write和read方法来操作EEPROM。可以通过eeprom_write示例代码将值写入EEPROM,通过eeprom_read示例代码从EEPROM读取值,通过eeprom_clear示例代码清除EEPROM内容。
ROM分为EEPROM和Flash,EEPROM可以随机访问和修改任何一个字节,保存100年,擦写100w次,但电路复杂成本高。Flash以块为单位擦除,数据密度高,成本低,但读取速度慢。Nor Flash可以随机寻址,Nand Flash不能。Nor Flash使用寿命长,Nand Flash可以标记坏块。嵌入式系统常用Nor Flash存储引导代码,Nand Flash存放文件系统和内核。
EEPROM和FLASH是可多次电擦除存储器,但有几点差异。FLASH按块/扇区读写,EEPROM按字节读写。FLASH容量大,EEPROM容量小。FLASH用于存储大容量数据,EEPROM用于存储零散小容量数据。FLASH结构简单,成本低。单片机中很少有EEPROM的原因是FLASH容量大、速度快、成本低、体积小,能模拟EEPROM。
ESP8266配网后重启需重新配网,可将WiFi账号密码等配置存入EEPROM。EEPROM实为外部Flash末尾开辟的空间,默认1024字节,擦写寿命约10万次,应控制写入频率。使用前需引入EEPROM.h并调用EEPROM.begin(1024)初始化。写入字节用EEPROM.write后须commit提交;写入int可用union拆分字节存储;写入字符串先存长度再逐字节保存。读取时分别用read读取字节、用union还原int、按长度逐字节拼接字符串。
使用ESP8266时,可将配网信息存入EEPROM以避免每次配网的麻烦。需引入EEPROM库,写入后必须调用commit才生效。文章给出操作函数:用联合体将int拆为两个字节实现Write_Int/Read_Int;Write_String先写入字符串长度再逐字节保存并commit,Read_String按长度逐字节读出拼接。
完成下面两步后,将自动完成登录并继续当前操作。