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DIY USB 电流表（9）：Flash 模拟 EEPROM 存储累计电量
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原文中文，约3000字，阅读约需8分钟。
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内容提要
介绍了使用CH32V003的代码存储区域来模拟EEPROM保存数据的方法，包括Flash的擦写时间和擦写寿命等特性。通过Flash模拟EEPROM的相关库方法，完成EEPROM的加载、读取和写入操作。设计外壳使DIY USB电流表更像一个正式产品。
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关键要点
- 介绍了使用CH32V003的代码存储区域模拟EEPROM保存数据的方法。
- CH32V003拥有16KB的用户代码区域，固件占用约12K空间，可以利用剩余空间模拟EEPROM。
- Flash擦写时间为2~3毫秒，擦写寿命有限，需控制数据保存频率。
- 每分钟保存一次数据在20W充电情况下，丢失的数据占比不到1%。
- 可采取额外保存策略，如在总消耗电量无变化时不写入Flash。
- CH32V003的Flash支持标准编程和快速编程，适合保存累计电量数据。
- 实现了Flash模拟EEPROM的相关库方法，包括加载、读取和写入操作。
- 定义了变量以确定数据保存策略，并在系统启动时加载之前保存的数据。
- 测试后确认累计电量数据能够正确保存和重新加载。
- 完成DIY USB电流表固件开发，支持数据测量、历史曲线和数据保存功能。
- 设计外壳使DIY USB电流表更像正式产品，防止短路风险。
- USB电流表所有资料已开源，提供固件代码、PCB生产文件和外壳STL文件。
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延伸问答
如何使用CH32V003模拟EEPROM保存数据？
可以利用CH32V003的16KB用户代码区域，通过编写相关库方法来实现Flash模拟EEPROM的加载、读取和写入操作。
CH32V003的Flash擦写时间和寿命是怎样的？
CH32V003的Flash擦写64字节需要2~3毫秒，擦写寿命有限，需控制数据保存频率以避免损坏。
在USB电流表中，如何减少Flash的擦写次数？
可以在总消耗电量无变化时不写入Flash，或者设置每分钟保存一次数据，以减少擦写次数。
DIY USB电流表的固件开发完成了哪些功能？
固件开发完成了电压电流数据显示、功率计算、多页面切换、历史功率曲线绘制及数据保存等功能。
如何在系统启动时加载之前保存的数据？
在系统启动时调用adc_setup方法，可以加载之前保存的累计电量数据。
USB电流表的所有资料在哪里可以找到？
所有资料已开源，可以在GitHub仓库中获取，包括固件代码、PCB生产文件和外壳STL文件。
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