EEPROM和flash这样讲，早就懂了！
内容提要
ROM分为EEPROM和Flash，EEPROM可以随机访问和修改任何一个字节，保存100年，擦写100w次，但电路复杂成本高。Flash以块为单位擦除，数据密度高，成本低，但读取速度慢。Nor Flash可以随机寻址，Nand Flash不能。Nor Flash使用寿命长，Nand Flash可以标记坏块。嵌入式系统常用Nor Flash存储引导代码，Nand Flash存放文件系统和内核。
延伸解读
从ROM到EEPROM的技术演进
文章梳理了ROM家族的发展脉络：从不可编程的ROM，到一次性编写的PROM，再到需紫外线擦除的EPROM，最终演进到电可擦除的EEPROM。这一过程反映了存储技术对灵活性和可修改性的不断追求，EEPROM的出现极大方便了程序员调试和更新程序。
狭义与广义EEPROM的区分
狭义EEPROM可随机访问和修改任一字节，保存100年，擦写100万次，但电路复杂、成本高，容量通常只有几十到几百千字节。广义EEPROM则包含Flash，Flash以块为单位擦除，简化了电路，提高了数据密度并降低成本，因此兆字节级存储多采用Flash。
Nor Flash与Nand Flash的对比
Nor Flash数据线和地址线分开，支持随机寻址，可读取任一字节，但擦除按块进行；Nand Flash数据线和地址线复用，不能随机寻址，读取按页进行。Nand Flash读取速度稍慢，但擦除和写入更快，内部电路简单，数据密度大、体积小、成本低，因此大容量Flash多为Nand型。
嵌入式系统中的典型应用
由于Nor Flash可进行字节寻址，程序能直接在Nor Flash中运行，且擦除次数是Nand的数倍，但一旦损坏便无法再用。Nand Flash则支持标记坏块，软件可跳过坏块继续使用。因此嵌入式系统常用小容量Nor Flash存储引导代码，用大容量Nand Flash存放文件系统和内核。
Q&A
EEPROM和Flash有什么区别？
EEPROM可以随机访问和修改任何一个字节，擦写次数高达100万次，数据保存100年，但电路复杂、成本高。Flash属于广义的EEPROM，擦除时以块为单位，数据密度更高，成本更低，但读取速度相对较慢。
NOR Flash和NAND Flash有什么不同？
NOR Flash数据线和地址线分开，支持随机寻址，可以读取任何一个字节，擦除按块进行，擦除次数是NAND的数倍，但一旦损坏无法再用。NAND Flash数据线和地址线复用，不能随机寻址，读取按页进行，擦除和写入速度更快，数据密度大、体积小、成本低，且可以标记坏块。
为什么嵌入式系统常用NOR Flash存储引导代码？
因为NOR Flash可以进行字节寻址，所以程序可以直接在NOR Flash中运行。嵌入式系统通常用一个小容量的NOR Flash存储引导代码，而用大容量的NAND Flash存放文件系统和内核。
EEPROM的擦写寿命和保存时间是多少？
狭义的EEPROM可以擦写100万次，数据掉电后不丢失，可以保存100年。
ROM的发展经历了哪些阶段？
ROM的发展经历了：最初的ROM无法编程，内容固定；PROM允许一次性编写；EPROM可多次擦写但需紫外线照射；EEPROM可电擦除，能随机修改字节；Flash作为广义EEPROM，按块擦除，成本更低。
NAND Flash为什么成本低、容量大？
NAND Flash的数据线和地址线复用，内部电路更简单，因此数据密度大、体积小、成本也低。所以大容量的Flash都是NAND型的，而小容量的2～12M的Flash多是NOR型的。
