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EEPROM和flash这样讲，早就懂了！
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原文中文，约1500字，阅读约需4分钟。
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内容提要
ROM分为EEPROM和Flash，EEPROM可以随机访问和修改任何一个字节，保存100年，擦写100w次，但电路复杂成本高。Flash以块为单位擦除，数据密度高，成本低，但读取速度慢。Nor Flash可以随机寻址，Nand Flash不能。Nor Flash使用寿命长，Nand Flash可以标记坏块。嵌入式系统常用Nor Flash存储引导代码，Nand Flash存放文件系统和内核。
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关键要点
- 存储器分为RAM和ROM，本文专注于ROM。
- 最初的ROM无法编程，内容固定不变。
- PROM允许一次性编写，写错需更换芯片。
- EPROM可多次擦写，但需紫外线照射，过程耗时。
- EEPROM提供更高的灵活性，可以随机访问和修改任何字节。
- 狭义的EEPROM可保存100年，擦写100万次，但成本高。
- Flash是广义的EEPROM，按块擦除，数据密度高，成本低。
- Flash分为nor flash和nand flash，nor flash支持随机寻址，nand flash速度快且成本低。
- nor flash的擦除次数是nand的数倍，且可进行字节寻址。
- 嵌入式系统常用nor flash存储引导代码，nand flash存放文件系统和内核。
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