单片机为什么常有Flash，而不常有EEPROM？
内容提要
EEPROM和FLASH是可多次电擦除存储器，但有几点差异。FLASH按块/扇区读写，EEPROM按字节读写。FLASH容量大，EEPROM容量小。FLASH用于存储大容量数据，EEPROM用于存储零散小容量数据。FLASH结构简单，成本低。单片机中很少有EEPROM的原因是FLASH容量大、速度快、成本低、体积小，能模拟EEPROM。
延伸解读
从ROM到Flash的技术演进
文章梳理了ROM的发展历程：从不可编程的ROM，到一次性的PROM，再到紫外线擦除的EPROM，最后到电可擦除的EEPROM和Flash。这一演进反映了存储技术对灵活性和便利性的不断追求。早期EPROM擦除需紫外线照射半小时，效率极低，而EEPROM和Flash实现了电擦除，大大提升了开发效率。
NOR与NAND Flash的差异
文章指出Flash主要分为NOR和NAND两种。NOR Flash支持随机读写，读取速度快，可直接运行代码，常用于存储程序或操作系统；NAND Flash按块读取，写入性能好，大容量下成本低，适合存储大量数据，如手机eMMC和固态硬盘。两者各有侧重，实际应用中常结合使用。
单片机中Flash替代EEPROM的原因
文章总结了单片机中很少使用EEPROM的几点原因：Flash容量更大、速度更快、成本更低、体积更小，且随着RAM增加和CPU处理速度提升，可用Flash模拟EEPROM功能。这些因素使得Flash在单片机有限的空间和成本约束下更具优势，因此成为主流选择。
Q&A
EEPROM和FLASH的主要区别是什么？
EEPROM和FLASH都是可多次电擦除存储器，但主要区别在于：FLASH按块/扇区进行读写操作，而EEPROM支持按字节读写操作；FLASH容量可以做到很大，EEPROM容量一般都很小；应用场景上，EEPROM存储零散小容量数据，FLASH存储大容量数据；内部结构上，FLASH结构更简单，成本更低。
为什么单片机中很少使用EEPROM？
单片机中很少使用EEPROM的原因包括：FLASH容量更大，能存储更多数据；FLASH速度更快，特别是读取速度；同等容量下FLASH成本更低；FLASH体积更小，适合单片机有限的空间；随着RAM增加和CPU处理速度增快，可以用FLASH模拟EEPROM。
ROM的发展经历了哪些阶段？
ROM的发展经历了从不可编程ROM（出厂内容固定）到PROM（可编程一次），再到EPROM（紫外线擦除可多次编程），最后到EEPROM（电可擦除可编程）的过程。
NOR Flash和NAND Flash有什么不同？
NOR Flash和NAND Flash的主要区别：NOR Flash支持随机读写，读取速度快，可以直接运行代码，多用于存储程序、操作系统等重要信息；NAND Flash以块为单位读取（通常一次512字节），写入性能好，大容量下成本低，但不能直接运行代码，常用于大容量存储如eMMC、固态硬盘。
FLASH在嵌入式系统中有哪些应用？
FLASH在嵌入式系统中用于存储Bootloader、操作系统、程序代码，或直接当硬盘使用（如U盘、固态硬盘）。它全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位。
早期的EEPROM有什么特点？
早期的EEPROM可以随机访问和修改任何一个字节，具有较高的可靠性，但电路更复杂，成本更高，因此容量都很小，从几KB到几百KB不等。
