三安集成在第十一届电子设计创新大会上展示了最新的砷化镓工艺HP56，性能优于前代HP12，增益和效率均有所提升。报告指出，功率密度的提升带来了热失控风险，并提出了优化建议以降低结温。此外，三安还展示了氮化镓工艺和滤波器产品的技术进展。

三安集成推出0.4μm Ledge GaAs HBT工艺H10HP56，提升射频芯片频率，满足智能手机和Wi-Fi 7等高功率需求，预计2024年底实现大规模量产。