全球TMT-美通国际
·
三安集成H10HP56工艺实现高功率应用，助推智能手机与卫星通信发展
💡
原文中文，约400字，阅读约需1分钟。
📝
内容提要
三安集成推出0.4μm Ledge GaAs HBT工艺H10HP56，提升射频芯片频率，满足智能手机和Wi-Fi 7等高功率需求，预计2024年底实现大规模量产。
🎯
关键要点
-
三安集成推出0.4μm Ledge GaAs HBT工艺H10HP56，提升射频芯片频率。
-
该工艺满足智能手机、Wi-Fi 7和卫星通信等高功率应用需求。
-
H10HP56采用自研InGaP材料外延，减小基极电阻，实现高电流增益。
-
该工艺适配铜柱倒装工艺，提升芯片封装面积和散热效率。
-
预计2024年底实现大规模量产，已在战略客户项目中完成先导量产。
➡️
