三安集成H10HP56工艺实现高功率应用,助推智能手机与卫星通信发展

三安集成H10HP56工艺实现高功率应用,助推智能手机与卫星通信发展

💡 原文中文,约400字,阅读约需1分钟。
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内容提要

三安集成推出0.4μm Ledge GaAs HBT工艺H10HP56,提升射频芯片频率,满足智能手机和Wi-Fi 7等高功率需求,预计2024年底实现大规模量产。

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