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三安集成H10HP56工艺实现高功率应用,助推智能手机与卫星通信发展

三安集成推出0.4μm Ledge GaAs HBT工艺H10HP56,提升射频芯片频率,满足智能手机和Wi-Fi 7等高功率需求,预计2024年底实现大规模量产。

三安集成H10HP56工艺实现高功率应用,助推智能手机与卫星通信发展

全球TMT-美通国际
全球TMT-美通国际 · 2025-10-16T02:39:21Z

本文提出了一种基于均匀噪声训练集的深度学习建模方法,有效解决传统射频芯片建模中的非线性问题,能够准确捕捉非线性特性,具备良好的推广能力和实际应用价值。

Deep Learning Modeling Method for RF Devices Based on Uniform Noise Training Set

BriefGPT - AI 论文速递
BriefGPT - AI 论文速递 · 2024-12-05T00:00:00Z
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