韩国SK keyfoundry推出支持最多三层IMD的多层厚金属间电介质电容工艺，击穿电压高达19,000V，适用于数字隔离和电路抑制，符合AEC-Q100标准，适合0.13和0.18微米BCD技术，并提供多种设计支持工具。
哈佛大学与博世集团开发的统一可微学习框架，通过第一性原理和机器学习方法，精确预测材料的电介质和铁电性质，克服了传统模型的局限性，推动了材料科学的研究与应用。
本研究针对现有逆渲染方法仅支持电介质而忽略导体的不足，提出了NeISF++，一种兼容导体与电介质的逆渲染管道。该方法引入了通用的物理基础反射分布函数（pBRDF）来描述两者的反射特性，并且采用新的几何初始化方法利用DoLP图像解决强镜面反射问题。实验结果表明，该方法在几何和材质分解方面超越了现有的极化逆渲染技术。
电容广泛用于射频应用，如旁路、级间耦合、谐振电路和滤波器。电容器由绝缘材料或电介质隔开的两个导电表面组成。电容值表示两导体存在电位差时允许储存电荷的特性。电容器的等效电路包括电容、管脚电感、功率因数、绝缘电阻和有效串联电阻。电容器的性能受到频率和阻抗的影响。在射频频率上，大电容可能比小电容具有更高的阻抗。电容可以由不同的介电材质制造而成。
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