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SK keyfoundry推出多层厚金属间电介质电容工艺
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原文中文，约500字，阅读约需2分钟。
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内容提要
韩国SK keyfoundry推出支持最多三层IMD的多层厚金属间电介质电容工艺，击穿电压高达19,000V，适用于数字隔离和电路抑制，符合AEC-Q100标准，适合0.13和0.18微米BCD技术，并提供多种设计支持工具。
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关键要点
- 韩国SK keyfoundry推出多层厚金属间电介质电容工艺，支持最多三层IMD。
- 每层IMD最大厚度达6微米，总厚度可达18微米。
- 该工艺提供高达19,000V的击穿电压，适用于数字隔离和电路抑制。
- 电容器符合AEC-Q100国际汽车半导体质量标准，适合0.13和0.18微米BCD技术。
- SK keyfoundry提供多种设计支持工具，助力客户加速产品开发。
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