韩国SK keyfoundry推出支持最多三层IMD的多层厚金属间电介质电容工艺，击穿电压高达19,000V，适用于数字隔离和电路抑制，符合AEC-Q100标准，适合0.13和0.18微米BCD技术，并提供多种设计支持工具。