MOSFET的寄生电容对开关速度有影响。过大的RG会延长充电时间，过小的RG会对前级驱动电路造成冲击。常用的高速驱动电路采用互补的BJT构成射随器，可以增加泄放电阻来防止MOSFET处于非理性状态。在低阈值电压的MOSFET中，通过栅源间的并联电阻泄放寄生电容上的残留电荷。