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MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的？
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原文中文，约2100字，阅读约需5分钟。
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内容提要
MOSFET的寄生电容对开关速度有影响。过大的RG会延长充电时间，过小的RG会对前级驱动电路造成冲击。常用的高速驱动电路采用互补的BJT构成射随器，可以增加泄放电阻来防止MOSFET处于非理性状态。在低阈值电压的MOSFET中，通过栅源间的并联电阻泄放寄生电容上的残留电荷。
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关键要点
- MOSFET的寄生电容CGS、CGD和CDS影响开关速度。
- RG过大延长充电时间，RG过小会冲击前级驱动电路。
- 高速驱动电路常用互补BJT构成射随器，增加泄放电阻防止非理性状态。
- 在低阈值电压的MOSFET中，通过栅源间的并联电阻泄放寄生电容上的残留电荷。
- RG越大，寄生电容的充电时间越长，影响MOSFET导通速度。
- 在高速开关应用中，RG一般取几Ω到几十Ω。
- 过大的RG会导致MOSFET在饱和状态下承受较大功耗。
- 在栅源之间并联电阻可防止MOSFET处于非理性状态。
- 寄生电容的残留电荷可能导致MOSFET工作在放大状态，造成损坏。
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延伸问答
MOSFET的寄生电容有哪些类型？
MOSFET的寄生电容包括CGS、CGD和CDS。
RG的大小如何影响MOSFET的开关速度？
RG越大，寄生电容的充电时间越长，导致MOSFET导通速度变慢。
在高速开关应用中，RG的推荐值是多少？
在高速开关应用中，RG一般取几Ω到几十Ω。
如何防止MOSFET处于非理性状态？
可以在MOSFET的栅源之间并联一个几KΩ到上百KΩ的电阻来防止非理性状态。
寄生电容的残留电荷会导致什么问题？
寄生电容的残留电荷可能导致MOSFET工作在放大状态，造成损坏。
如何提高MOSFET的关断速度？
可以在栅极电阻上并联一个快恢复二极管，以提高关断速度。
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