MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的？
内容提要
MOSFET的寄生电容对开关速度有影响。过大的RG会延长充电时间，过小的RG会对前级驱动电路造成冲击。常用的高速驱动电路采用互补的BJT构成射随器，可以增加泄放电阻来防止MOSFET处于非理性状态。在低阈值电压的MOSFET中，通过栅源间的并联电阻泄放寄生电容上的残留电荷。
延伸解读
寄生电容参数在数据手册中的对应关系
数据手册通常不直接给出CGS、CGD和CDS，而是提供CISS、COSS和CRSS。根据文章，CISS等于CGS加CGD（CDS短路时），COSS等于CDS加CGD，CRSS等于CGD。理解这些对应关系，有助于从手册参数反推实际寄生电容，从而评估开关速度。
栅极电阻RG的权衡：速度与驱动冲击
RG增大，寄生电容充电时间变长，MOSFET导通变慢，在饱和区停留时间增加，功耗上升；RG过小或短路，则驱动瞬间前级需提供大电流，可能冲击驱动电路。高速开关应用中，RG一般取几Ω到几十Ω，需在开关速度与驱动能力间平衡。
高速驱动电路中的泄放与加速措施
为满足驱动电流要求，常用互补BJT构成射随器：Q1开启时充电，Q2关断时放电。若需更快关断，可在栅极电阻上并联快恢复二极管，使放电回路绕过电阻。此外，栅源间并联几kΩ到上百kΩ电阻，可在驱动失效时泄放残留电荷，防止MOSFET误开启。
残留电荷导致的非理性状态风险
寄生电容上的残留电荷可能使UGS高于阈值但不足以充分导通，MOSFET工作在放大区，同时承受较大电压和电流，导致功耗过大甚至损坏。低阈值电压的MOSFET更易发生。栅源间并联电阻可泄放残留电荷，避免这种非理性状态。
Q&A
MOSFET的寄生电容有哪些类型？
MOSFET的寄生电容包括CGS、CGD和CDS。
RG的大小如何影响MOSFET的开关速度？
RG越大，寄生电容的充电时间越长，导致MOSFET导通速度变慢。
在高速开关应用中，RG的推荐值是多少？
在高速开关应用中，RG一般取几Ω到几十Ω。
如何防止MOSFET处于非理性状态？
可以在MOSFET的栅源之间并联一个几KΩ到上百KΩ的电阻来防止非理性状态。
寄生电容的残留电荷会导致什么问题？
寄生电容的残留电荷可能导致MOSFET工作在放大状态，造成损坏。
如何提高MOSFET的关断速度？
可以在栅极电阻上并联一个快恢复二极管，以提高关断速度。
