MOSFET的寄生电容对开关速度有影响。过大的RG会延长充电时间，过小的RG会对前级驱动电路造成冲击。常用的高速驱动电路采用互补的BJT构成射随器，可以增加泄放电阻来防止MOSFET处于非理性状态。在低阈值电压的MOSFET中，通过栅源间的并联电阻泄放寄生电容上的残留电荷。

MOSFET的等效电路包括寄生电容CGS、CGD和CDS。寄生电容会影响开关速度，RG越大充电时间越长，RG太小会对前级驱动电路造成冲击。常用的高速驱动电路包括BJT和快恢复二极管。在实际应用中，可以在栅源之间并联电阻防止MOSFET处于非理性状态。残留电荷会导致MOSFET工作在放大状态，通过并联电阻泄放残留电荷可以防止这种情况发生。

该文章描述了进行EMC标准规定的辐射发射测试时，发现某塑料外壳产品在特定频点存在辐射超标的情况。超标与晶振的位置有关，晶振与参考接地板之间的寄生电容越大，辐射就越大。通过移动晶振位置或使用单片机内部晶振等处理措施，可以改善辐射发射问题。高 dU/dt的印制线或器件与参考接地板之间的容性耦合会产生EMI问题，建议避免将这些器件放置在PCB边缘。