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晶振为什么不能放置在PCB边缘？
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原文中文，约2600字，阅读约需7分钟。
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内容提要
该文章描述了进行EMC标准规定的辐射发射测试时，发现某塑料外壳产品在特定频点存在辐射超标的情况。超标与晶振的位置有关，晶振与参考接地板之间的寄生电容越大，辐射就越大。通过移动晶振位置或使用单片机内部晶振等处理措施，可以改善辐射发射问题。高 dU/dt的印制线或器件与参考接地板之间的容性耦合会产生EMI问题，建议避免将这些器件放置在PCB边缘。
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关键要点
- 在进行EMC标准辐射发射测试时，某塑料外壳产品在160MHz频点存在辐射超标。
- 辐射超标与晶振位置有关，晶振与参考接地板之间的寄生电容越大，辐射越大。
- 晶振位于PCB边缘时，寄生电容增大，导致共模辐射超标。
- 将晶振内移或使用单片机内部晶振可以改善辐射发射问题。
- 高dU/dt的印制线或器件与参考接地板之间的容性耦合会产生EMI问题，建议避免放置在PCB边缘。
- 法拉第屏罩原理可以有效屏蔽电磁干扰，减少辐射问题。
- 辐射并非由晶振直接造成，而是由晶振与其他导体之间的寄生电容影响近场辐射。
- 将晶振外壳接地可以在一定程度上减少干扰。
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