MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的？
内容提要
MOSFET的等效电路包括寄生电容CGS、CGD和CDS。寄生电容会影响开关速度，RG越大充电时间越长，RG太小会对前级驱动电路造成冲击。常用的高速驱动电路包括BJT和快恢复二极管。在实际应用中，可以在栅源之间并联电阻防止MOSFET处于非理性状态。残留电荷会导致MOSFET工作在放大状态，通过并联电阻泄放残留电荷可以防止这种情况发生。
延伸解读
数据手册中的电容参数与内部寄生电容的关系
数据手册通常不直接给出CGS、CGD和CDS，而是提供CISS、COSS和CRSS。根据文章，CISS=CGS+CGD（CDS短路时），COSS=CDS+CGD，CRSS=CGD。理解这些关系有助于从手册参数推算内部电容，从而评估开关速度。例如，CRSS直接对应CGD，而CGD在开关过程中影响米勒平台。
栅极电阻RG的权衡：速度与驱动冲击
RG增大，寄生电容充电时间变长，开关速度降低，过渡期间MOSFET处于放大区，功耗增加。但RG过小或短路，驱动瞬间前级需提供大电流，可能损坏驱动电路。因此，在高速开关应用中，RG通常取几Ω到几十Ω，需在开关速度和驱动能力间平衡。
高速驱动电路与关断加速技巧
为满足驱动电流要求，常用互补BJT射随器：Q1开启时充电，Q2关断时放电。若需更快关断，可在栅极电阻上并联快恢复二极管，使放电回路绕过电阻，从而缩短关断时间。这些方法针对寄生电容的充放电路径进行优化。
栅源并联电阻的作用与残留电荷风险
在栅源间并联几KΩ到上百KΩ的电阻，可防止前级驱动失效时MOSFET处于不确定状态。残留电荷会使UGS高于阈值但不足以充分导通，导致MOSFET工作在放大区，功耗过大而损坏，低阈值电压器件更易发生。并联电阻可泄放残留电荷，避免此风险。
Q&A
MOSFET的寄生电容有哪些？
MOSFET的寄生电容包括CGS、CGD和CDS。
RG对MOSFET开关速度有什么影响？
RG越大，MOSFET的充电时间越长，RG太小会对前级驱动电路造成冲击。
如何防止MOSFET处于非理性状态？
可以在MOSFET的栅源之间并联电阻，以防止其处于非理性状态。
残留电荷对MOSFET有什么影响？
残留电荷会导致MOSFET工作在放大状态，增加功耗并可能损坏器件。
在高速开关应用中，常用的驱动电路有哪些？
常用的高速驱动电路包括BJT和快恢复二极管。
如何加快MOSFET的关断速度？
可以在栅极电阻上并联一个快恢复二极管，以加快关断速度。
