韩国SK keyfoundry已完成SiC平面MOSFET工艺平台开发，获得1200V SiC MOSFET订单，标志着其SiC半导体代工业务启动。新平台支持450V至2300V，良率超过90%，计划2027年上半年量产。

NLnet基金会资助了多个开源项目，包括改进用户界面的LibrePCB 2.0、用于开源PDK验证的MOSFET测试程序、将SPICE3模型转换为Verilog-A的提炼器等。其他项目如SniffNet用于网络流量监控，utoipa用于Rust API文档生成，Gosub是支持模块化引擎的浏览器。

MOSFET的寄生电容对开关速度有影响。过大的RG会延长充电时间，过小的RG会对前级驱动电路造成冲击。常用的高速驱动电路采用互补的BJT构成射随器，可以增加泄放电阻来防止MOSFET处于非理性状态。在低阈值电压的MOSFET中，通过栅源间的并联电阻泄放寄生电容上的残留电荷。

MOSFET的等效电路包括寄生电容CGS、CGD和CDS。寄生电容会影响开关速度，RG越大充电时间越长，RG太小会对前级驱动电路造成冲击。常用的高速驱动电路包括BJT和快恢复二极管。在实际应用中，可以在栅源之间并联电阻防止MOSFET处于非理性状态。残留电荷会导致MOSFET工作在放大状态，通过并联电阻泄放残留电荷可以防止这种情况发生。

在ON状态下，三极管使用饱和Vce表示，MOSFET使用饱和Vds表示。MOSFET的D和S之间的电流可以双向流动，实现能量的双向传输。D和S的定义是为了讨论电流流向和计算方便。D和S互换后，特性相同。DS沟道的宽度由GS电压控制，确定了S端。

本文介绍了四种常见的MOSFET栅极驱动电路，包括IC直接驱动型、推挽输出电路增强驱动、加速MOSFET关断的驱动电路以及加速MOSFET关断的变压器驱动电路。每种驱动电路都有不同的特点和适用场景。

MOSFET是一种广泛应用于电源和电机驱动器等设备中的功率开关元件。它可用于逻辑控制和PWM控制。文章解释了MOSFET的米勒效应、平台电压和相关损耗。选择MOSFET涉及电压和电流额定值等参数。文章还提到，MOSFET的驱动电路通常集成在驱动芯片中。

MOSFET是电力电子功率器件中常用的重要电子器件，主要参数包括耐压、导通电阻和导通阀值电压。驱动技术包括米勒电容、自举驱动和变压器隔离驱动。低端驱动和高端驱动有不同的注意事项，同步整流驱动需要注意逻辑问题，而并联驱动要保证驱动线对称。

本文介绍了保护MOSFET栅极尖峰电压的措施，包括添加齐纳二极管和选择最佳的栅极电阻器。同时，还介绍了防止栅极故障的方法，如添加电容器和使用米勒箝位电路。最后，通过实验验证了这些措施的有效性。

MOSFET和IGBT在电子电路设计中常用作控制开关。它们在性能特征上存在差异，MOSFET具有高输入阻抗、快速开关速度和电压控制电流特性，而IGBT具有低功耗、高耐压和大电流容量。MOSFET适用于放大器和电子开关，而IGBT适用于交流电机、逆变器和电源。