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MOS管怎么用？从认识米勒效应、开关损耗、参数匹配及选型开始
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原文中文，约2100字，阅读约需5分钟。
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内容提要
MOSFET是一种广泛应用于电源和电机驱动器等设备中的功率开关元件。它可用于逻辑控制和PWM控制。文章解释了MOSFET的米勒效应、平台电压和相关损耗。选择MOSFET涉及电压和电流额定值等参数。文章还提到，MOSFET的驱动电路通常集成在驱动芯片中。
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关键要点
- MOS管是一种广泛应用于电源和电机驱动器等设备中的功率开关元件。
- MOS管包括N沟道和P沟道，N沟道MOS管在实际应用中占绝大多数。
- MOS管的使用可分为逻辑控制和PWM控制两种情形。
- 逻辑控制中，MOS管的Vgs电压需大于门槛电压（一般为4.5V）。
- PWM控制中，MOS管的Vgs电压通常使用12V，以保证导通深度。
- 米勒效应是MOS管工作原理的重要概念，影响Vgs平台电压。
- MOS管的损耗包括开通损耗、关断损耗和导通损耗，需合理设计以降低损耗。
- 选择MOS管时，需考虑DS极耐压、漏极电流和Rds(on)等参数。
- 驱动MOS管的电路通常集成在驱动芯片中，输出能力强，电流可达1A。
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