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MOSFET的驱动技术有哪些？
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原文中文，约2900字，阅读约需7分钟。
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内容提要
MOSFET是电力电子功率器件中常用的重要电子器件，主要参数包括耐压、导通电阻和导通阀值电压。驱动技术包括米勒电容、自举驱动和变压器隔离驱动。低端驱动和高端驱动有不同的注意事项，同步整流驱动需要注意逻辑问题，而并联驱动要保证驱动线对称。
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关键要点
- MOSFET是重要的电子器件，最早出现在上世纪60年代，80年代开始成为电力电子功率器件的关键组成部分。
- MOSFET的主要参数包括耐压、导通电阻和导通阀值电压。
- 耐压是指击穿电压，超过此电压漏电流急剧上升。
- 导通电阻在导通后近似为电阻，随温度上升而增加。
- 导通阀值电压是MOS开通的电压，随温度上升而下降。
- MOSFET的寄生二极管和寄生电容对其性能有重要影响，尤其在同步整流等应用中。
- MOSFET的驱动技术包括米勒电容、自举驱动和变压器隔离驱动。
- 低端驱动电路简单，但需注意驱动能力和细节问题。
- 高端驱动需考虑MOS的S极与IC参考地的关系，自举驱动和变压器隔离驱动是常用方法。
- 同步整流驱动需注意逻辑问题，确保主管和整流管的驱动信号协调。
- 并联驱动时需保证每个管子的驱动线对称。
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