良许Linux教程网 ·

MOSFET的驱动技术有哪些？

💡 原文中文，约2900字，阅读约需7分钟。

📝

内容提要

MOSFET是电力电子功率器件中常用的重要电子器件，主要参数包括耐压、导通电阻和导通阀值电压。驱动技术包括米勒电容、自举驱动和变压器隔离驱动。低端驱动和高端驱动有不同的注意事项，同步整流驱动需要注意逻辑问题，而并联驱动要保证驱动线对称。

🔎

延伸解读

驱动能力不足的应对策略

文章指出，MOSFET虽为电压型驱动，但寄生电容的存在要求驱动电路提供足够的电流。较小的驱动电流会导致GS电压上升缓慢，降低开关速度并提高开关损耗。当IC本身的驱动能力不足时，可采用分立器件（如图腾柱）或集成驱动IC来增强驱动能力，以满足快速开关的需求。

高端驱动与自举电路的关键点

高端驱动中，MOS的S极并非IC的参考地，常见于BUCK开关管和桥式电路的上管。自举驱动能自动抬升供电电压，但需注意其耐压。对于二极管整流的BUCK电路，自举驱动有特定问题需留意。变压器隔离驱动则适用于浮地或隔离的MOS，其关键考虑是变压器的复位，常用隔直电容复位，但需注意电压幅度与占空比的关系以及变压器的耐压。

隔直电容的潜在风险与解决方案

隔直电容在驱动电路中用于复位，但会储存能量。驱动消失后，电容与变压器可能产生谐振，导致传递错误的驱动信号。为降低影响，可利用电阻阻尼振荡。有些IC植入soft stop功能，在关机时让驱动占空比逐渐降至0。为避免此问题，也可采用无电容的变压器驱动电路。

同步整流与并联驱动的注意事项

同步整流驱动需注意逻辑问题：两个管子驱动互补，但当主管长时间关断时，整流管会长时间导通。因此关机时不能仅将主管驱动置低，必须同时将整流管驱动置低。并联驱动时，要尽量保证每个管子的驱动线对称，以确保均流和可靠工作。

❓

Q&A

MOSFET的主要参数有哪些？

MOSFET的主要参数包括耐压（击穿电压VDS）、导通电阻和导通阀值电压。耐压是指击穿电压，超过此电压漏电流急剧上升；导通电阻在导通后近似为电阻，随温度上升而增加；导通阀值电压是MOS开通的电压，随温度上升而下降。