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MOSFET和三极管ON状态有什么区别？
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原文中文，约1300字，阅读约需4分钟。
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内容提要
在ON状态下，三极管使用饱和Vce表示，MOSFET使用饱和Vds表示。MOSFET的D和S之间的电流可以双向流动，实现能量的双向传输。D和S的定义是为了讨论电流流向和计算方便。D和S互换后，特性相同。DS沟道的宽度由GS电压控制，确定了S端。
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关键要点
- 在ON状态下，三极管使用饱和Vce表示，MOSFET使用饱和Rds表示。
- 三极管的导通电流Ice由基极驱动电流Ib和集电极-发射极电压Vce决定。
- MOSFET的导通电流Ids由栅-源电压Vgs和漏-源电压Vds决定。
- MOSFET的D和S之间的电流可以双向流动，实现能量的双向传输。
- D和S的定义是为了讨论电流流向和计算方便，互换后特性相同。
- 对于功率MOS，D和S可能因特殊应用而有所不同。
- DS沟道的宽度由GS电压控制，确定了S端。
- 在Vgs未达到Vth之前，模型为RC充电过程，Vgs达到Vth后导电沟道开启。
- 寄生电容Cgd的电流流向是G→D，导致Vgs出现平坦变化的一小段。
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