MOSFET和三极管ON状态有什么区别？
内容提要
在ON状态下，三极管使用饱和Vce表示，MOSFET使用饱和Vds表示。MOSFET的D和S之间的电流可以双向流动，实现能量的双向传输。D和S的定义是为了讨论电流流向和计算方便。D和S互换后，特性相同。DS沟道的宽度由GS电压控制，确定了S端。
延伸解读
为何三极管用Vce而MOSFET用Rds表示导通状态
三极管导通时基极驱动电流Ib通常不恒定，导致导通电流Ice不能仅由Vce确定，因此用饱和Vce表示。而MOSFET的栅源电压Vgs可保持不变，导通电流Ids仅受Vds影响，导通阻抗Rds基本恒定，故用Rds表示。这反映了两种器件在导通状态下的不同控制特性。
MOSFET的D和S互换后的特性差异
对于IC内部MOS管，D和S制造对称，定义仅为方便讨论电流流向。但功率MOS可能因耐压等目的在D端做轻掺杂，导致D、S不同。互换后，当Vgs=0时，只要Vds>0.7V管子也可导通，而互换前不能；当Vgs>Vth时，反型层沟道已形成，互换后特性相同。
如何确定MOSFET的D和S端子
虽然电流可从D到S或从S到D双向流动，但D和S的名称不能互换。DS沟道宽度由GS电压控制，当G固定后，S端就唯一确定了。若将原S端当作D，并给G和该S施加电压，沟道不会变化，仍保持关闭。因此，S端由栅极控制关系决定。
米勒平台与寄生电容Cgd的关系
当Vgs未达Vth时，驱动电阻R对Cgs充电，模型为简单RC充电。Vgs达到Vth后，DS导电沟道开启，Vd剧烈下降。根据I=C*dV/dt，寄生电容Cgd有电流流过，方向为G→D。在G节点，该电流分流驱动电流，使大部分驱动电流转向Cgd，小部分继续流向Cgs，导致Vgs出现平坦变化的一小段，即米勒平台。
Q&A
MOSFET和三极管在ON状态下的导通电流是如何决定的？
三极管的导通电流Ice由基极驱动电流Ib和集电极-发射极电压Vce决定，而MOSFET的导通电流Ids由栅-源电压Vgs和漏-源电压Vds决定。
MOSFET的D和S之间的电流有什么特点？
MOSFET的D和S之间的电流可以双向流动，实现能量的双向传输。
为什么MOSFET需要定义D和S端？
定义D和S的目的是为了讨论电流流向和计算时的方便，尽管在制造时它们是对称的。
在MOSFET中，D和S互换后会有什么变化？
D和S互换后，当Vgs=0时，只要Vds>0.7V管子也可以导通，而换之前不能；当Vgs>Vth时，互换后两者特性相同。
MOSFET的导通阻抗Rds是如何保持不变的？
在固定的栅-源电压Vgs条件下，MOSFET的导通阻抗Rds基本保持不变，主要受漏-源电压Vds影响。
在Vgs未达到Vth之前，MOSFET的工作模型是什么？
在Vgs未达到Vth之前，MOSFET的工作模型为RC充电过程。
