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MOSFET和三极管ON状态有什么区别？
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原文中文，约1300字，阅读约需4分钟。
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内容提要
在ON状态下，三极管使用饱和Vce表示，MOSFET使用饱和Vds表示。MOSFET的D和S之间的电流可以双向流动，实现能量的双向传输。D和S的定义是为了讨论电流流向和计算方便。D和S互换后，特性相同。DS沟道的宽度由GS电压控制，确定了S端。
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关键要点
- 在ON状态下，三极管使用饱和Vce表示，MOSFET使用饱和Rds表示。
- 三极管的导通电流Ice由基极驱动电流Ib和集电极-发射极电压Vce决定。
- MOSFET的导通电流Ids由栅-源电压Vgs和漏-源电压Vds决定。
- MOSFET的D和S之间的电流可以双向流动，实现能量的双向传输。
- D和S的定义是为了讨论电流流向和计算方便，互换后特性相同。
- 对于功率MOS，D和S可能因特殊应用而有所不同。
- DS沟道的宽度由GS电压控制，确定了S端。
- 在Vgs未达到Vth之前，模型为RC充电过程，Vgs达到Vth后导电沟道开启。
- 寄生电容Cgd的电流流向是G→D，导致Vgs出现平坦变化的一小段。
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延伸问答
MOSFET和三极管在ON状态下的导通电流是如何决定的？
三极管的导通电流Ice由基极驱动电流Ib和集电极-发射极电压Vce决定，而MOSFET的导通电流Ids由栅-源电压Vgs和漏-源电压Vds决定。
MOSFET的D和S之间的电流有什么特点？
MOSFET的D和S之间的电流可以双向流动，实现能量的双向传输。
为什么MOSFET需要定义D和S端？
定义D和S的目的是为了讨论电流流向和计算时的方便，尽管在制造时它们是对称的。
在MOSFET中，D和S互换后会有什么变化？
D和S互换后，当Vgs=0时，只要Vds>0.7V管子也可以导通，而换之前不能；当Vgs>Vth时，互换后两者特性相同。
MOSFET的导通阻抗Rds是如何保持不变的？
在固定的栅-源电压Vgs条件下，MOSFET的导通阻抗Rds基本保持不变，主要受漏-源电压Vds影响。
在Vgs未达到Vth之前，MOSFET的工作模型是什么？
在Vgs未达到Vth之前，MOSFET的工作模型为RC充电过程。
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