NEO Semiconductor 宣布将于 2026 年推出 512GB 内存条，采用 3D X-DRAM 技术，通过垂直堆叠提升密度和性能，适用于人工智能和高性能计算。目前方案仍在早期验证阶段，未来需与硬件制造商合作。
完成下面两步后，将自动完成登录并继续当前操作。
