NEO半导体准备学习3D NAND堆叠闪存制造512GB内存条 采用3D X-DRAM进行堆叠

NEO半导体准备学习3D NAND堆叠闪存制造512GB内存条 采用3D X-DRAM进行堆叠

💡 原文中文,约800字,阅读约需2分钟。
📝

内容提要

NEO Semiconductor 宣布将于 2026 年推出 512GB 内存条,采用 3D X-DRAM 技术,通过垂直堆叠提升密度和性能,适用于人工智能和高性能计算。目前方案仍在早期验证阶段,未来需与硬件制造商合作。

🏷️

标签

➡️

继续阅读