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内容提要
NEO Semiconductor 宣布将于 2026 年推出 512GB 内存条，采用 3D X-DRAM 技术，通过垂直堆叠提升密度和性能，适用于人工智能和高性能计算。目前方案仍在早期验证阶段，未来需与硬件制造商合作。
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关键要点
- NEO Semiconductor 宣布将于 2026 年推出 512GB 内存条，采用 3D X-DRAM 技术。
- 3D X-DRAM 技术通过垂直堆叠提高内存的密度、性能和容量。
- 目前 NEO 半导体的芯片方案仍在早期概念验证阶段。
- NEO 半导体的 3D X-DRAM 架构可以让内存条达到 512GB，适用于人工智能和高性能计算领域。
- NEO 正在开发更简单的 1T0C 架构测试版本，计划在 2026 年推出更复杂的 1T1C 版本。
- 未来的 3T0C 设计将采用双 IGZO 层，主要面向内存计算和 AI 应用。
- 超大容量内存短期内不会面向消费者市场，需与硬件制造商合作。
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