SK海力士重申存储器对AI产业至关重要，将继续研发高性能内存。公司已向客户提供12层48GB HBM4E样品，能效较HBM4提升20%，但尚未量产，同时探索HBF高带宽闪存技术。公司正全球扩产，在韩国龙仁和清州建厂，总投资54万亿韩元，美国印第安纳州封装测试基地计划2029年下半年量产。

英伟达计划通过Vera Rubin架构实现GPU直接管理存储，形成HBM、HBF和SSD三层内存结构。这将提升AI服务器性能，减轻CPU负担，闪存厂商将受益。HBF适合存储不常修改的模型参数，未来可能改变内存市场格局。预计2026年开始商业化。