SK海力士重申没有存储器就没有AI产业 接下来公司将继续研发高性能内存

SK海力士重申没有存储器就没有AI产业 接下来公司将继续研发高性能内存

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内容提要

SK海力士重申存储器对AI产业至关重要,将继续研发高性能内存。公司已向客户提供12层48GB HBM4E样品,能效较HBM4提升20%,但尚未量产,同时探索HBF高带宽闪存技术。公司正全球扩产,在韩国龙仁和清州建厂,总投资54万亿韩元,美国印第安纳州封装测试基地计划2029年下半年量产。

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延伸解读

HBM4E样品进展与量产不确定性

SK海力士已向主要客户提供12层48GB HBM4E样品,能效较HBM4提升20%,单引脚速率最高16Gbps。但该产品仍处于评估阶段,尚未量产,公司也未给出具体量产时间。这表明HBM4E距离大规模商用仍有距离,客户验证和产能爬坡是关键变量,读者需关注后续量产时间表的更新。

HBF技术:介于内存与SSD之间的新方向

SK海力士与闪迪共同发布首个HBF标准规范,该技术使用NAND闪存,定位介于高带宽内存与固态硬盘之间,目标是在增加容量的同时提供更高带宽。不过HBF仍处于技术研发阶段,最终能否研发成功以及客户是否接受尚需观察。这显示公司在HBM之外探索补充方案,但短期难以成为营收主力。

全球扩产周期以年计,产能落地尚需时日

SK海力士在韩国龙仁建设Y2 DRAM厂、清州建设M17 NAND厂,总投资54万亿韩元;美国印第安纳州基地负责HBM先进内存封装与测试,计划2029年下半年量产,且不在美国制造DRAM晶圆。这些项目表明产能扩张周期较长,短期内难以缓解存储供应紧张,读者应关注长期产能释放节奏。

Q&A

SK海力士为什么说没有存储器就没有AI产业?

SK海力士在产业活动中重申,存储器是AI产业不可或缺的基础,随着AI产业持续发展,相关存储器需求也将继续保持强劲。

SK海力士的HBM4E内存样品有什么规格和性能提升?

SK海力士从2026年6月开始向主要客户提供12层48GB的HBM4E内存样品,单引脚速率最高16Gbps,能效较HBM4提高20%。

HBM4E目前量产了吗?

还没有。HBM4E产品仍处于样品评估阶段,SK海力士将继续与客户合作推进量产,暂时没有具体的量产时间。

SK海力士探索的HBF高带宽闪存是什么?

HBF是高带宽闪存技术,使用NAND闪存,产品性质介于高带宽内存与固态硬盘之间,目标是在增加容量的同时提供更高带宽。SK海力士已与闪迪共同发布首个HBF标准规范,但该产品仍处于技术研发阶段,能否成功及客户是否接受还需观察。

SK海力士在全球有哪些扩产计划?

SK海力士在韩国龙仁建设Y2 DRAM厂、在清州建设M17 NAND厂,总投资规模达54万亿韩元;同时在美国印第安纳州建设基地,主要负责HBM先进内存的封装与测试,计划2029年下半年开始量产,该工厂不会在美国境内制造DRAM晶圆。

SK海力士美国印第安纳州工厂主要做什么?

该基地主要负责HBM先进内存的封装与测试,目前计划在2029年下半年开始量产,不会在美国境内制造DRAM晶圆。

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