M31与Ambiq联合推出基于台积电N12e工艺的超低功耗基础IP方案，包含优化SPSRAM存储器编译器与超低漏电标准单元库，面向AIoT、可穿戴等常开边缘应用。编译器支持高性能与超低功耗双模式，低功耗模式下频率近500MHz，漏电控制优异；标准单元库可降低约50%漏电功耗。

M31円星科技宣布其eUSB2V2接口IP已在台积电N2P工艺完成流片，支持高速、低功耗连接，兼容USB 2.0生态系统，最高传输速率可达4.8 Gbps，适用于AI、高性能计算和移动设备等领域。

M31科技宣布其MIPI M-PHY v5.0 IP在4纳米工艺上成功硅验证，并正在研发3纳米工艺。该技术支持UFS 4.1，提升智能手机、车载智能座舱及AI边缘计算设备的性能，单通道速率达到23.32 Gbps，功耗低，集成完整UFS解决方案。

圆星科技在成渝集成电路设计展会上发布了多项针对AI和低功耗场景的IP解决方案，包括高性能MIPI接口和超低功耗存储器编译器，支持智能驾驶和边缘AI应用。

圆星科技（M31）在台积电OIP论坛上推出了针对N6e平台的超低漏电和低电压存储器编译器，专为AI和物联网设计，优化低功耗。M31连续第八年获得台积电OIP特殊制程IP奖。